Licenciatura em Engª Física e de Materiais, Ramo Materiais. Opção de Especialidade: Materiais Semicondutores (1989).
Provas de Aptidão Pedagógica e Capacidade Científica em Engª de Materiais, ramo de Microelectrónica e Optoelectrónica (1996).
Doutoramento em Engª de Materiais, ramo de Microelectrónica e Optoelectrónica (2005).
Interesses principais:
Materiais e Dispositivos Semicondutores - Produção e Caracterização
a) Processos de Fabrico em Microelectrónica
b) Células Fotovoltaicas e Sensores Optoelectrónicos
Outros:
a) Electrónica, Instrumentação e Medidas
b) Programação, Modelação e Simulação aplicadas a Materiais.
c) CAD e Desenho Técnico
1- "Dependence of Optical Properties on Composition of Silicon Carbonitride Thin Films Deposited at Low Temperature by PECVD"
G. Lavareda, Y. Vygranenko, A. Amaral, C. Nunes de Carvalho, N.P. Barradas, E. Alves, P. Brogueira. Journal of Non-Crystalline Solids 551 (2021), 120434. doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2020.120434
2- "An indium oxide electrode with discontinuous Au layers for plasmonic devices "
Y. Vygranenko, G. Lavareda, V. André, P. Brogueira, A. Amaral, M. Fernandes, A. Fantoni, M. Vieira. SPIE Proc. 11281 (2020), 1128127. https://doi.org/10.1117/12.2545958
3- "Optical and photoconductive properties of indium sulfide fluoride thin films"
Y. Vygranenko, M. Vieira, G. Lavareda, C. Nunes de Carvalho, P. Brogueira, A. Amaral, N.P. Barradas, E. Alves. Thin Solid Films 671 (2019), 49-52. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2018.12.019
4- "Etchability Dependence of InOx and ITO Thin Films by Plasma Enhanced Reactive Thermal Evaporation on Structural Properties and Deposition Conditions"
A. Amaral, G. Lavareda, C. Nunes de Carvalho, V. Andre, Y. Vygranenko, M. Fernandes, P. Brogueira. MRS Advances 3(4) (2018), 207-212. https://doi.org/10.1557/adv.2018.113
5- "p/n junction depth control using amorphous silicon as a low temperature dopant source"
G. Lavareda, A. de Calheiros Velozo, C. Nunes de Carvalho, A. Amaral. Thin Solid Films 543 (2013), 122-124. https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.02.043