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Joana Maria Dória Vaz Pinto Morais Sarmento

Professor Auxiliar Convidado
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Diplomada em Engenharia de Física pela Universidade Nova de Lisboa em 2000. Concluiu o Doutoramento em Física Aplicada na mesma universidade com a tese: “Modification of the Electric and Magnetic Properties of Metallic Oxides by Ion Implantation” que foi desenvolvida no Instituto Tecnológico e Nuclear (ITN) e em colaboração com a Faculdade de Ciências da Universidade de Lisboa. É atualmente investigadora Pós-Doc no Centro de Investigação de Materiais - CENIMAT. Os principais tópicos de sua pesquisa estão focados no desenvolvimento de transistores de filme fino baseados em óxidos semicondutores amorfos, para serem utilizados como biocombustíveis (ISFET, ENFET e DNAFET).

Interesses Científicos

Thin film transistors, ISFET, biosensors, flexible and disposable sensors

Materials Characterization using AFM , XRD and RBS techniques

 

Publicações Representativas

1. Extended-Gate ISFETs Based on Sputtered Amorphous Oxides, J. V. Pinto, R. Branquinho, P. Barquinha, E. Alves, R. Martins, and F. Fortunato, Journal of Display Technology, vol. 9, pp. 729-734, 2013.

2. Plastic Compatible Sputtered Ta2O5 Sensitive Layer for Oxide Semiconductor TFT Sensors , R. Branquinho, J. V. Pinto, T. Busani, P. Barquinha, L. Pereira, P. Viana Baptista, R. Martins, and E. Fortunato, Journal of Display Technology, vol. 9, pp. 723-728, 2013.

3. Current Transport Mechanism at Metal-Semiconductor Nanoscale Interfaces Based on Ultrahigh Density Arrays of p-type NiO Nano-Pillars, S. Nandy, G. Goncalves, J. V. Pinto, T. Busani, V. Figueiredo, L. Pereira, R. Martins, and E. Fortunato, Nanoscale, Vol 5, p 11699, 2013 (doi: 10.1039/c3nr03803c).

4. Real-time monitoring of PCR amplification of proto-oncogene c-MYC using a Ta2O5 electrolyte-insulator-semiconductor sensor, R. Branquinho, B. Veigas, J.V. Pinto, R. Martins, E. Fortunato, and P. V. Baptista, Biosensors & Bioelectronics, vol. 28, (2011), pp. 44-49; (doi: 10.1016/j.bios.2011.06.039).

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