Faculdade

Departamento

Joana Maria Dória Vaz Pinto Morais Sarmento

Professora Auxiliar Convidada
1.10
(+351) 21 294 85 64
11605
(+351) 212 957 810

Joana Vaz Pinto (J.V. Pinto) é uma investigadora na NOVA School of Science and Technology (FCT NOVA). Joana graduou-se em Engenharia Física em 2001 e obteve o Doutoramento em Física Aplicada em 2008 na NOVA FCT. Em outubro de 2008 J.V. Pinto entrou CENIMAT com uma posição de investigador de pós-doutoramento com o intuito de fabricar transístores e dispositivos de efeito de campo para aplicações em biossensores (ISFETs). Desde 2015 é Professora Auxiliar Convidada no Departamento de Ciência dos Materiais da FCT NOVA exercendo as suas atividades de docência nas áreas de processos da Microeletrónica e na caracterização de nano estruturas, sendo responsável pelo desenvolvimento da caracterização avançada de materiais através das técnicas de XRD e AFM no Centro de Investigação CENIMAT|i3N.

As suas atividades de investigação atuais incluem o desenvolvimento de metodologias de padronização e desenvolvimento de dispositivos de filme fino em membranas ultra finas de parileno para aplicações de eletrónica flexível e conformável. Este polímero tem sido explorado   nas suas várias vertentes como substrato, dielétrico e camada de encapsulamento e em diferentes tipos de dispositivos, como TFTs, sensores capacitvos/resistivos e biossensores. O seu objetivo principal reside na integração dos diferentes dispositivos nas membranas de parileno para atingir sistemas conformáveis, autónomos combinando a experiência demonstrada pelo grupo em fabricação e desenho de circuitos. Tem atualmente um aluno de PhD e  supervisionou mais de 20 teses de mestrado nos últimos 5 anos.

Áreas de Investigação

Electrónica Flexível, Dispositivos de filme fino; Dispositivos da microeletrónica; sensores.

Interesses Científicos

Eletrónica flexível; sensores, dispositivos da microeletrónica, métodos de padronização; caracterização elétrica e estrutural de dispositivos e nano estruturas; XRD e AFM; metodologias de caracterização in-situ das propriedades elétrica, mecânicas e estruturais.

Publicações Representativas

  • Transparent and Flexible Electrocorticography Electrode Arrays Based on Silver Nanowire Networks for Neural Recordings, J.P. Neto, A. Costa, J.V. Pinto, A. Marques-Smith, J.C. Costa, R. Martins, E. Fortunato, A.R. Kampff, P. Barquinha, ACS Appl. Nano Mater. 2021, 4,6,5737-5747. https://doi.org/10.1021/acsanm.1c00533
  • Ta2O5/SiO2 Multicomponent Dielectrics for Amorphous Oxide TFTs, J. Martins, A.  Kiazadeh, J.V. Pinto, A. Rovisco, T. Gonçalves, J. Deuermeier, E. Alves, R. Martins, E. Fortunato, P. Barquinha. Electron. Mater. 2021, 2(1), 1-16. https://doi.org/10.3390/electronicmat2010001
  • Self-Cleaned Photonic-Enhanced Solar Cells with Nanostructured Parylene-C, P. Centeno, M.F. Alexandre, M. Chapa, J.V. Pinto, J. Deuermeier, T. Mateus, E. Fortunato, R. Martins, H. Águas, M.J. Mendes, Adv. Mater. Interfaces 2020, 7, 2000264. https://doi.org/10.1002/admi.202000264
  • Quantitative real-time monitoring of RCA amplification of cancer biomarkers mediated by a flexible ion sensitive platform,  B. Veigas, J. Pinto, R. Vinhas, T. Calmeiro, R. Martins, E. Fortunato and P. V. Baptista,; Biosensors and Bioelectronics; 91, 788-795,(2017); https://doi.org/10.1016/j.bios.2017.01.052.
  • Extended-Gate ISFETs Based on Sputtered Amorphous Oxides J.V. Pinto, R. Branquinho, P. Barquinha, E. Alves, R. Martins and E. Fortunato, Journal of Display Technology; 9, 9, 729-734,(2013), http://dx.doi.org/10.1109/jdt.2012.2227298.

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