Joana Vaz Pinto (J.V. Pinto) é uma investigadora na NOVA School of Science and Technology (FCT NOVA). Joana graduou-se em Engenharia Física em 2001 e obteve o Doutoramento em Física Aplicada em 2008 na NOVA FCT. Em outubro de 2008 J.V. Pinto entrou CENIMAT com uma posição de investigador de pós-doutoramento com o intuito de fabricar transístores e dispositivos de efeito de campo para aplicações em biossensores (ISFETs). Desde 2015 é Professora Auxiliar Convidada no Departamento de Ciência dos Materiais da FCT NOVA exercendo as suas atividades de docência nas áreas de processos da Microeletrónica e na caracterização de nano estruturas, sendo responsável pelo desenvolvimento da caracterização avançada de materiais através das técnicas de XRD e AFM no Centro de Investigação CENIMAT|i3N.
As suas atividades de investigação atuais incluem o desenvolvimento de metodologias de padronização e desenvolvimento de dispositivos de filme fino em membranas ultra finas de parileno para aplicações de eletrónica flexível e conformável. Este polímero tem sido explorado nas suas várias vertentes como substrato, dielétrico e camada de encapsulamento e em diferentes tipos de dispositivos, como TFTs, sensores capacitvos/resistivos e biossensores. O seu objetivo principal reside na integração dos diferentes dispositivos nas membranas de parileno para atingir sistemas conformáveis, autónomos combinando a experiência demonstrada pelo grupo em fabricação e desenho de circuitos. Tem atualmente um aluno de PhD e supervisionou mais de 20 teses de mestrado nos últimos 5 anos.
Electrónica Flexível, Dispositivos de filme fino; Dispositivos da microeletrónica; sensores.
Eletrónica flexível; sensores, dispositivos da microeletrónica, métodos de padronização; caracterização elétrica e estrutural de dispositivos e nano estruturas; XRD e AFM; metodologias de caracterização in-situ das propriedades elétrica, mecânicas e estruturais.